RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3047
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link