RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2942
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link