RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2893
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link