RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3316
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link