RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2398
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB Сравнения RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link