RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2561
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link