RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2741
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link