RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2559
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link