RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3072
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link