RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1775
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link