RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2676
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link