RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2313
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link