RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3091
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link