RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2261
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link