RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
67
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
67
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link