RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3597
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link