RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2499
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link