RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2570
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link