RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
11.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link