RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2920
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link