RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link