RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link