RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2888
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link