RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2918
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link