RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
39
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2971
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link