RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2330
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link