RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3379
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A3000C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link