RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2863
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link