RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2931
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link