RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 17000
    Около 1.13% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    21 left arrow 24
    Около -14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.5 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 21
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 18.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 2769

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB Сравнения RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
модули RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
модули RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
модули RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
модули RAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
модули RAM