RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2978
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link