RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3135
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link