RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3246
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link