RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3332
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link