RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link