RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2495
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link