RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2897
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link