RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
12.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2897
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link