RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около 11% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3391
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link