RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около 14% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3409
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link