RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
24
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
21
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3512
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 160C0 V3 Series 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link