RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3832
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link