RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.2
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.6
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
22.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
17.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link