RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.3
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link