RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
24
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
20
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3506
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link