RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2771
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link