RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link