RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3638
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link