RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.7
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3765
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link