RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 32
    Около 25% меньшая задержка
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 16
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.9 left arrow 12.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    24 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.0 left arrow 16.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 13.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2925 left arrow 3524

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM

Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
модули RAM
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
модули RAM
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
модули RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
модули RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
модули RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
модули RAM