RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.3
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link