RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
18.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3434
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link